機器人鋪光電板要比人利索多了。
因為穿宇航服的緣故，人類宇航員在鋪設過程中，在直播間看，無論是第一視角還是第三視角，你總會覺得這動作很變扭，有種身體不受控制的錯覺。
但機器人就要流暢得多，尤其是剛從地球運來的機器人，新東西用起來總是最爽的。
直播間的觀眾簡單來說就是爽，類似於看解壓影片的感覺。
一個個光伏板跟種莊稼一樣，種下去。
“好爽，我們這進度太快了。”
“這次看，感覺進度飛快啊，華為什麼時候能把超導晶片給搞出來？”
“應該快了吧？”
“應該快了，要不是為了超導晶片，應該用不著這麼龐大的光伏陣列吧？”
直播間除了討論機器人裝光伏元件外，就在討論超導晶片什麼時候能上。
這可是華國獨一份的技術突破。
哪怕這一技術突破還只是停留在構想藍圖上，但簡中網際網路的網友們早就贏麻了。
不但簡中網友贏麻，外國媒體也提前幫華國贏麻。
以印度為例，印度媒體是最愛反思的，尤其愛和華國比。
歐美的報紙可以把這件事視而不見，但印度不行。
從深紅出現開始，印度媒體就在反思了：
“我們在科研支出、科研人才密度、大學排名等方面都顯著落後於華國，華國擁有類似千人計劃、2025製造業這樣的國家戰略，我們缺乏這類長遠規劃，在人工智慧領域，華國的投入同樣遠超印度，這是我們之間差距的原因。
印度政府有野心，印度有人工智慧領域的人才，但我們國家的風險投資並不願意支援真正的科技創新，他們只想做科技的搬運工，把阿美莉卡成熟的技術搬回印度。
這樣的創新是不可持續的，這也是我們和華國差距的根本所在。”
深紅出來的時候，印度的反思會給華國人一種熟悉感，因為華國之前反思和阿美莉卡差距的時候，說辭好像差不多。
但當超導晶片計劃公佈之後，印度反思就開始脫離理性層面了，動不動就是印度人就是不行，印度就是不行這種情緒抒發上。
在quora上有一篇華裔的回答一語中的：
“印度一直認為他們能和華國比，應該要和華國看齊，孟買要和申海比，新德里要和燕京比，班加羅爾要和鵬城看齊，華國的科技進步格外讓他們所關注。
而這次印度圍繞超導晶片的集體破防，在印度輿論層面引發了比深紅出現更廣泛和激烈的討論，會導致不瞭解印度的人困惑，超導晶片只停留在理論層面，還沒有實物的出現，深紅可是實打實用更弱的算力實現了更好的效果，為什麼前者還會更能引發印度破防。
對此，我周圍有非常多的印度朋友，我認為他們的思考邏輯是，我們和華國是一樣的，儘管現在華國比我們領先，但我們沒有本質區別，我們都是追趕者的身份。
深紅再厲害，它也是gpt的模仿者，哪怕它超過了gpt，它的出現和gpt相差沒有多久時間，也許是原創，但在印度人的視角里，你就是模仿，就是抄襲。
所以他們討論反思還只是停留在一個比較和平理性的層面，但超導晶片是完全沒有的產物，是華國首先提出的概念，並且有落地的可能。
這讓印度意識到，大家也許不一樣，華國也許不是追趕者，華國在科技領域也許正在朝創新者的角色轉型，甚至已經成為了創新者的角色。
往更深了聊，印度對自身的定位仍然是依靠歐美資本、歐美技術、歐美市場獲得發展的國家，他們覺得華國也是如此，所以大家是競爭關係，你多獲得了一些，印度就少獲得了一些。
但超導晶片的出現，讓印度意識到，好像我們也在接受來自華國的資本、產業和技術輸出，這讓他們破防了，因為在不知不覺間華國實現了身份地位的轉換，但印度還是印度。”
當然圍繞超導晶片，不但印度關注，發達國家同樣在關注。
這也許關係到下一代的晶片材料。
晶片領域的從業人員都能很直觀感受到矽基晶片已經到了一個極限，每往前一步都格外困難，成本上升、良品率下降、各種負面因子開始湧現。
如果不採用更加先進的3d立體結構，矽基晶片這幾年就要到頭了。
那麼華國的低溫超導路線到底可不可行，這成為了業界關注的焦點。
月球上能夠保證常態低溫，能夠利用低溫來構建超導晶片，在地球上這一點自然是做不到，他們關注的是，低溫超導有沒有可能會表現出一些有意思的特性，而這些特性是否能指導下一代晶片材料的出現。
超導本身就令人遐想連篇，那麼不需要超導，常溫常壓下的半超導有沒有可能呢？
新的環境，新的條件，有可能誕生新的材料。
所以業界格外關注華國超低溫超導晶片的最新進展。
當然在華為內部，那就更重視了，調兵遣將，派了最精銳的團隊從松山湖調到申海來。
他們第一年主要要做的是驗證技術可行性，技術路徑早已確定：利用鐵基超導體fese薄膜，在srtio3襯底上透過分子束外延生長，實現溫度在100k的超導狀態，這樣的樣品理論可行，但實際呢？
在月球上它的表現如何？不僅僅是計算本身，還有穩定性、耗能等等，其他狀態到底如何。
他們需要先拿個樣品出來。
以阿波羅科技的能力來說，他們前腳有了樣品，後腳就能打到月球上去做測試。
月球上的環境什麼的都已經準備好了，電能已經具備，陰影區域探索完成，隨時可以進行測試。
屬於是萬事俱備只欠東風。
“吳工，你們那邊進度如何？”林燃同樣關注這件事，他大概每週會和技術團隊開一次會，技術團隊由華為和阿波羅科技共建，人員配比大概在7比3的樣子。
吳工是這隻技術團隊的具體負責人，華為半導體條線僅次於梁孟松的資深工程師。
第一個月：“教授，我們從fese入手，母體fese是半導體，tc只有8k，但單層薄膜在介面效應下，能提升到109k。
月球真空環境完美匹配mbe生長，避免氧化。”吳工說
團隊的研究員們戴著護目鏡，操作著裝置：先將srtio3襯底加熱到600°c，清潔表面；然後控制鐵源和硒源的蒸發速率，鐵原子束強度為0.1單層/分鐘，硒過量以確保化學計量比。
生長過程中，吳工偶爾糾正引數：“注意襯底溫度，過高會導致晶格失配，降低電子-聲子耦合，目標厚度是約0.5nm的單原子層。”
在第一個樣品生長完成後，他們用x射線衍射檢查晶體結構：峰值顯示良好外延，但電阻測試在液氮浴中，超導轉變溫度tc只有50k，遠低於預期。
第二個月：“我覺得應該是硒空位缺陷導致的費米麵重構不完整，吳工，嘗試一下增加後退火步驟，在真空下加熱到400°c，促進介面電荷轉移。”林燃提醒道“我覺得介面效應會是關鍵，srtio3的極性層會誘導二維電子氣，提升tc。”
這和2014年nature的一篇文獻有關，在那篇文獻裡有提到，fese/srtio3系統可以利用介面效應將tc從8k推到100k以上。
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